---显影工艺流程是微电子芯片制造中的一项关键制程，其通常包括以下步骤：准备基础物质：先选择基础物质如硅片，并在其表面上涂上一层光刻胶。布图设计：根据芯片设计，凹凸面---显影价格，制定合适的---和显影条件，凹凸面---显影工厂，并在计算机上生成掩模图形来辅助芯片制造。---：使用紫外线---机将掩膜上的图案投射到光刻胶上。显影：使用显影液将未---的光刻胶清除掉，滨湖凹凸面---显影，将芯片图案暴露出来。
---显影可以制造微小的电容、电阻、晶体管、发光二极管或太阳能电池等晶体管器件，快速将电信号转变为其他形式的能量。---显影技术可以制造出---微纳米级别下的芯片制造工艺，---提高了芯片及其---性。预喷淋（pre-wet）：为了提高后面显影液在硅片表面的附着性能，凹凸面---显影生产商，先在硅片表面喷上一点去离子水（deionizedwater，diw）。
用负显影工艺可以实现较窄的沟槽，负显影工艺已经被广泛用于20纳米及以下技术节点的量产中显影工艺一般步骤如下：图2 显影工艺步骤1.预喷淋（pre-wet）：为了提高后面显影液在硅片表面的附着性能，显影液表面停留（puddle）：为了让显影液与光刻胶进行充分反应，显影液喷淋后需要在硅片表面停留一般为几十秒到一两分钟。
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