显影：将---后的硅片浸泡在显影液中，---显影加工，在此过程中，光刻胶会在掩膜中没有被---的部分（即需要去除的图案区域）中被消蚀，并暴露出硅片表面。---一般在---机内进行，目前的---机依据光源冷却方式可分为风冷和水冷，---取决于除干膜致抗蚀剂、光源选择、---时间、菲林胶片等因素。尽管对193i负胶的研发已经倾注了很大的努力，但是其性能仍然与正胶有比较大的差距，所以提出负显影（negative tone develop，ntd）。
准备基础物质：先选择基础物质如硅片，并在其表面上涂上一层光刻胶。布图设计：根据芯片设计，制定合适的---和显影条件，并在计算机上生成掩模图形来辅助芯片制造。---：使用紫外线---机将掩膜上的图案投射到光刻胶上。显影喷淋（developer dispense）：在硅片表面涂覆显影液。为了将显影液均匀地涂覆到硅片表面上，---显影，显影喷嘴分为以下几种：e2喷嘴，ld喷嘴，---显影生产商，gp喷嘴，mgp喷嘴等。
显影：使用显影液将未---的光刻胶清除掉，将芯片图案暴露出来。刻蚀：使用化学反应或物理方法将芯片表面的材料刻蚀掉，形成所需的电子器件结构。清洗：将芯片在化学清洗液中清洗干净，并使用干燥器进行干燥。显影液去除并且清洗（rinse）：达到显影时间后，使用diw立即冲洗晶圆表面。去离子水不仅可以使显影过程终止，而且会把显---缺陷颗粒冲洗掉。
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